目前，真空滅弧室有小型化的趨勢(shì)，而這也突出了電場(chǎng)的分布的重要性，真空滅弧室內(nèi)部電氣間隙縮小后仍需承受標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的絕緣電壓，這就需要對(duì)內(nèi)部電場(chǎng)進(jìn)行優(yōu)化分析與測(cè)算，借助計(jì)算機(jī)分析軟件對(duì)開(kāi)滅弧室部結(jié)構(gòu)進(jìn)行了多次電場(chǎng)計(jì)算，對(duì)內(nèi)部各部件結(jié)構(gòu)進(jìn)行多次修改設(shè)計(jì)，優(yōu)化后的內(nèi)部電場(chǎng)分布均勻，降低了瓷殼內(nèi)表面沿面的電場(chǎng)強(qiáng)度及三相界面的電場(chǎng)強(qiáng)度，消除了主屏蔽罩兩端口處的尖峰電場(chǎng)，改善了屏蔽罩的均壓作用。

　　另外還對(duì)主屏蔽罩與導(dǎo)電桿之間的間隙進(jìn)行了改進(jìn)。改進(jìn)后觸頭間隙中的電場(chǎng)強(qiáng)度有了一定程度的降低，進(jìn)一步緩解了主間隙間的電場(chǎng)應(yīng)力，提高了介質(zhì)恢復(fù)速度。

　　通過(guò)軟件的分析不斷的對(duì)內(nèi)部各零部件尺寸、形狀、位置等進(jìn)行調(diào)整，最終的結(jié)果是使滅弧室內(nèi)部各處電場(chǎng)強(qiáng)度盡量分布均勻，消除各處可能出現(xiàn)的尖端電場(chǎng)，以有效地降低瓷殼內(nèi)表面沿面的電場(chǎng)強(qiáng)度及三相界面的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而提高產(chǎn)品的絕緣強(qiáng)度及弧后介質(zhì)恢復(fù)速度。優(yōu)化設(shè)計(jì)后盡可能使得真空滅弧室內(nèi)中間屏蔽罩上的電位為50%，動(dòng)靜端兩端對(duì)稱(chēng)分布，從圖中可見(jiàn)電場(chǎng)分布基本均勻，三相界面處的得到了有效的屏蔽，無(wú)電場(chǎng)集中現(xiàn)象，這就有效的保證了體積減小后對(duì)電壓的耐受能力。